MJD112T4, Биполярный транзистор, NPN, составной (Darlington), 100 В, 2 А, 20 Вт
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
1362 шт. со склада г.Москва, срок 12 дней
94 руб.
Мин. кол-во для заказа 5 шт.
от 28 шт. —
76 руб.
от 56 шт. —
71 руб.
от 111 шт. —
66 руб.
Добавить в корзину 5 шт.
на сумму 470 руб.
Альтернативные предложения4
Посмотреть аналоги7
Описание
Транзисторы / Биполярные транзисторы / Одиночные биполярные транзисторы
Биполярный транзистор, NPN, составной (Darlington), 100 В, 2 А, 20 Вт
Технические параметры
Корпус | DPAK/TO-252AA | |
Brand: | STMicroelectronics | |
Collector- Base Voltage VCBO: | 100 V | |
Collector- Emitter Voltage VCEO Max: | 100 V | |
Configuration: | Single | |
DC Collector/Base Gain hfe Min: | 200 | |
Emitter- Base Voltage VEBO: | 5 V | |
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 2500 | |
Manufacturer: | STMicroelectronics | |
Maximum Collector Cut-off Current: | 20 uA | |
Maximum DC Collector Current: | 2 A | |
Maximum Operating Temperature: | +150 C | |
Mounting Style: | SMD/SMT | |
Package / Case: | TO-252 | |
Product Category: | Darlington Transistors | |
Product Type: | Darlington Transistors | |
Series: | MJD112 | |
Subcategory: | Transistors | |
Transistor Polarity: | NPN | |
Base-Emitter Saturation Voltage (Max) | 4(V) | |
Collector Current (DC) | 2(A) | |
Collector Current (DC) (Max) | 4 A | |
Collector-Base Voltage | 100(V) | |
Collector-Base Voltage (Max) | 100 V | |
Collector-Base Voltage(Max) | 100 V | |
Collector-Emitter Saturation Voltage | 2(V) | |
Collector-Emitter Voltage | 100(V) | |
Configuration | Single | |
DC Current Gain | 200 | |
Emitter-Base Voltage | 5(V) | |
Emitter-Base Voltage (Max) | 5 V | |
Maximum Collector Cut-off Current | 20 | |
Mounting | Surface Mount | |
Number of Elements | 1 | |
Operating Temp Range | -65C to 150C | |
Operating Temperature Classification | Military | |
Package Type | DPAK | |
Packaging | Tape and Reel | |
Pin Count | 2+Tab | |
Polarity | NPN | |
Power Dissipation | 20(W) | |
Rad Hardened | No | |
Вес, г | 0.66 |
Техническая документация
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные (BJTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.