STGD6NC60HDT4, Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 7 А

Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию

1728 шт. со склада г.Москва, срок 10 дней

160 руб.

Мин. кол-во для заказа 3 шт.

от 18 шт. — 130 руб.

от 35 шт. — 119 руб.

от 69 шт. — 113 руб.

Добавить в корзину 3 шт. на сумму 480 руб.

Альтернативные предложения4

Номенклатурный номер: 8638447694

Артикул: STGD6NC60HDT4

Транзисторы / IGBT (БТИЗ) транзисторы / Одиночные IGBT транзисторы

Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 7 А

Корпус	dpak
Automotive	No
Channel Type	N
Configuration	Single
ECCN (US)	EAR99
Lead Shape	Gull-wing
Maximum Collector-Emitter Voltage (V)	600
Maximum Continuous Collector Current (A)	15
Maximum Gate Emitter Leakage Current (uA)	0.1
Maximum Gate Emitter Voltage (V)	±20
Maximum Operating Temperature (°C)	150
Maximum Power Dissipation (mW)	56
Minimum Operating Temperature (°C)	-55
Mounting	Surface Mount
Packaging	Tape and Reel
Part Status	Active
PCB changed	2
Pin Count	3
PPAP	No
Standard Package Name	TO-252
Supplier Package	DPAK
Supplier Temperature Grade	Industrial
Tab	Tab
Typical Collector Emitter Saturation Voltage (V)	1.9
Brand	STMicroelectronics
Collector- Emitter Voltage VCEO Max	600 V
Collector-Emitter Saturation Voltage	1.9 V
Continuous Collector Current	6 A
Continuous Collector Current Ic Max	15 A
Factory Pack Quantity	2500
Gate-Emitter Leakage Current	100 nA
Height	2.4 mm
Length	6.6 mm
Manufacturer	STMicroelectronics
Maximum Gate Emitter Voltage	+/-20 V
Maximum Operating Temperature	+150 C
Minimum Operating Temperature	-55 C
Mounting Style	SMD/SMT
Package / Case	DPAK-3
Pd - Power Dissipation	50 W
Product Category	IGBT Transistors
RoHS	Details
Series	STGD6NC60HD
Technology	Si
Width	6.2 mm
Вес, г	0.6