IRFR9N20DPBF, транзистор N канал 200В 9.4А DPak

Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию

120 руб.

Кратность заказа 4 шт.

от 32 шт. — 60 руб.

Добавить в корзину 4 шт. на сумму 480 руб.

Номенклатурный номер: 8737358685

Артикул: IRFR9N20DPBF

транзисторы полевые импортные

Транзистор IRFR9N20DPBF TO-252 N-Channel 200V 9,4A 86W Infineon Technologies (P/N IRFR9N20DPBF)

Структура	N-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В	200
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А	9.4
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт	86
Корпус	DPAK(TO-252AA)
Крутизна характеристики S,А/В	4.3
Максимальное пороговое напряжение затвор-исток Uзи макс.,В	5.5
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл.,мОм	380
Температура, С	-55…+175
Brand	Infineon/IR
Channel Mode	Enhancement
Configuration	Single
Factory Pack Quantity	3000
Fall Time	9.3 ns
Forward Transconductance - Min	4.3 S
Height	2.3 mm
Id - Continuous Drain Current	9.4 A
Length	6.5 mm
Manufacturer	Infineon
Maximum Operating Temperature	+175 C
Minimum Operating Temperature	-55 C
Mounting Style	SMD/SMT
Number of Channels	1 Channel
Package / Case	TO-252-3
Packaging	Reel
Pd - Power Dissipation	86 W
Product Category	MOSFET
Qg - Gate Charge	18 nC
Rds On - Drain-Source Resistance	380 mOhms
Rise Time	16 ns
RoHS	Details
Technology	Si
Transistor Polarity	N-Channel
Transistor Type	1 N-Channel
Typical Turn-Off Delay Time	13 ns
Typical Turn-On Delay Time	7.5 ns
Unit Weight	0.139332 oz
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage	200 V
Vgs - Gate-Source Voltage	30 V
Width	6.22 mm
Вес, г	0.66

pdf, 226 КБ

Мы рекомендуем