Главная › Электронные компоненты › Транзисторы › Биполярные (BJTs) › NXP › BC846BS, Биполярный транзистор NPN 65В 100мА ...

BC846BS, Биполярный транзистор NPN 65В 100мА SOT363

Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию

41 руб.

от 100 шт. — 11 руб.

от 400 шт. — 8.50 руб.

от 700 шт. — 7.09 руб.

Добавить в корзину 1 шт. на сумму 41 руб.

Альтернативные предложения4

Номенклатурный номер: 8772005169

Артикул: BC846BS

Бренд: NXP Semiconductor

Описание

транзисторы биполярные импортные

TRANSISTOR, NPN, 65V, 100MA, SOT363; Transistor Polarity:NPN; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:65V; Power Dissipation Pd:200mW; DC Collector Current:100mA; DC Current Gain hFE:200hFE; Transistor Case Style:SOT-363; No.

Технические параметры

Структура	npn+pnp
Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В	65
Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А)	0.1
Корпус	SOT-363-6
Статический коэффициент передачи тока hfe мин	200
Collector-Emitter Breakdown Voltage	65V
Maximum DC Collector Current	100mA
Pd - Power Dissipation	300mW
Transistor Type	2 NPNпј€Doubleпј‰
Maximum Collector Base Voltage	80 V
Maximum Collector Emitter Voltage	65 V
Maximum Emitter Base Voltage	6 V
Maximum Operating Temperature	+150 °C
Maximum Power Dissipation	200 mW
Minimum DC Current Gain	200
Mounting Type	Surface Mount
Number of Elements per Chip	2
Package Type	SOT-363(SC-88)
Pin Count	6
Transistor Configuration	Isolated
Transistor Polarity	Dual NPN; Collector Emitter Voltage V(br)ceo
Вес, г	0.08