BC868-25,115, Биполярный транзистор, NPN, 20 В, 1 А, 1.35 Вт
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
607 шт. со склада г.Москва, срок 10 дней
19 руб.
Мин. кол-во для заказа 25 шт.
от 72 шт. —
16 руб.
от 143 шт. —
15 руб.
от 286 шт. —
14 руб.
Добавить в корзину 25 шт.
на сумму 475 руб.
Альтернативные предложения2
Описание
Транзисторы / Биполярные транзисторы / Одиночные биполярные транзисторы
Биполярный транзистор, NPN, 20 В, 1 А, 1.35 Вт
Технические параметры
Корпус | SOT-89-3 | |
Pd - рассеивание мощности | 1000 mW | |
Вид монтажа | SMD/SMT | |
Высота | 1.6 mm | |
Длина | 4.6 mm | |
Другие названия товара № | BC868-25 T/R | |
Категория продукта | Биполярные транзисторы - BJT | |
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) | 160 at 500 mA at 1 V | |
Конфигурация | Single | |
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс. | 160 at 500 mA at 1 V | |
Максимальная рабочая температура | + 150 C | |
Максимальный постоянный ток коллектора | 1 A | |
Минимальная рабочая температура | 55 C | |
Напряжение коллектор-база (VCBO) | 32 V | |
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 20 V | |
Напряжение эмиттер-база (VEBO) | 5 V | |
Подкатегория | Transistors | |
Полярность транзистора | NPN | |
Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT) | 60 MHz | |
Размер фабричной упаковки | 1000 | |
Тип продукта | BJTs - Bipolar Transistors | |
Торговая марка | Nexperia | |
Упаковка / блок | SOT-89-3 | |
Ширина | 2.6 mm | |
Base Product Number | BC868 -> | |
Current - Collector (Ic) (Max) | 2A | |
Current - Collector Cutoff (Max) | 100nA (ICBO) | |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 160 @ 500mA, 1V | |
ECCN | EAR99 | |
Frequency - Transition | 170MHz | |
HTSUS | 8541.21.0075 | |
Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) | |
Mounting Type | Surface Mount | |
Operating Temperature | 150В°C (TJ) | |
Package | Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ® | |
Package / Case | TO-243AA | |
Power - Max | 500mW | |
REACH Status | REACH Unaffected | |
RoHS Status | ROHS3 Compliant | |
Supplier Device Package | SOT-89 | |
Transistor Type | NPN | |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 600mV @ 200mA, 2A | |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 20V | |
Maximum Collector Base Voltage | 32 V | |
Maximum Collector Emitter Voltage | 20 V | |
Maximum DC Collector Current | 2 A | |
Maximum Emitter Base Voltage | 5 V | |
Maximum Operating Temperature | +150 °C | |
Maximum Power Dissipation | 1.35 W | |
Minimum DC Current Gain | 50 | |
Number of Elements per Chip | 1 | |
Package Type | SOT-89 | |
Pin Count | 3 | |
Transistor Configuration | Single | |
Вес, г | 0.097 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 2124 КБ
Datasheet
pdf, 1770 КБ
Datasheet
pdf, 1680 КБ
Datasheet BC868-25,115
pdf, 1176 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные (BJTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.
Похожие товары