STGW38IH130D, Биполярный транзистор IGBT, 20 КГц, 33 А, 1300 В

Фото 1/4 STGW38IH130D, Биполярный транзистор IGBT, 20 КГц, 33 А, 1300 В
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
2 шт. со склада г.Москва, срок 10 дней
600 руб.
Добавить в корзину 1 шт. на сумму 600 руб.
Альтернативные предложения1
Номенклатурный номер: 8843579547
Артикул: STGW38IH130D
Бренд: STMicroelectronics

Описание

Транзисторы / IGBT (БТИЗ) транзисторы / Одиночные IGBT транзисторы
Биполярный транзистор IGBT, 20 КГц, 33 А, 1300 В

Технические параметры

Корпус TO-247
EU RoHS Compliant with Exemption
ECCN (US) EAR99
Part Status Obsolete
HTS 8541.29.00.95
Channel Type N
Configuration Single
Maximum Gate Emitter Voltage (V) ±25
Maximum Collector-Emitter Voltage (V) 1300
Typical Collector Emitter Saturation Voltage (V) 2.1
Maximum Continuous Collector Current (A) 63
Maximum Gate Emitter Leakage Current (uA) 0.1
Maximum Power Dissipation (mW) 250000
Minimum Operating Temperature (°C) -55
Maximum Operating Temperature (°C) 150
Packaging Tube
Automotive No
Standard Package Name TO-247
Pin Count 3
Supplier Package TO-247
Military No
Mounting Through Hole
Package Height 20.15(Max)
Package Length 15.75(Max)
Package Width 5.15(Max)
PCB changed 3
Tab Tab
Lead Shape Through Hole
Вес, г 7.5

Техническая документация

Datasheet STGW38IH130D
pdf, 815 КБ
STGW38IH130D
pdf, 816 КБ

Дополнительная информация

Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные с изолированным затвором (IGBTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов

Сроки доставки

Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.