Главная › Электронные компоненты › Транзисторы › Полевые (FETs, MOSFETs) › Infineon › IPP037N08N3GXKSA1, Транзистор: N-MOSFET ...

IPP037N08N3GXKSA1, Транзистор: N-MOSFET, полевой, 80В, 100А, 214Вт, PG-TO220-3

Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию

690 руб.

от 3 шт. — 590 руб.

Добавить в корзину 1 шт. на сумму 690 руб.

Номенклатурный номер: 8022105600

Артикул: IPP037N08N3GXKSA1

Бренд: INFINEON TECHNOLOGIES AG.

Описание

Описание Транзистор полевой IPP037N08N3GXKSA1 производства INFINEON – это качественный N-MOSFET, предназначенный для использования в различных электронных схемах. Модель отличается монтажом THT, что обеспечивает простоту установки на печатные платы. Транзистор способен управлять током стока до 100 А и работать при напряжении сток-исток до 80 В, что делает его подходящим для высокомощных применений. Мощность устройства составляет 214 Вт, а низкое сопротивление в открытом состоянии всего 0,0037 Ом гарантирует высокую эффективность и минимальные энергопотери. Корпус PG-TO220-3 обеспечивает надежную работу и долговечность. Приобретая IPP037N08N3GXKSA1, вы получаете надежный компонент от известного производителя. Код товара для заказа: IPP037N08N3GXKSA1. Характеристики

Категория	Транзистор
Тип	полевой
Вид	N-MOSFET
Монтаж	THT
Ток стока, А	100
Напряжение сток-исток, В	80
Мощность, Вт	214
Сопротивление в открытом состоянии, Ом	0.0037
Корпус	PG-TO220-3

Технические параметры

Brand:	Infineon Technologies
Channel Mode:	Enhancement
Configuration:	Single
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity:	500
Id - Continuous Drain Current:	100 A
Manufacturer:	Infineon
Maximum Operating Temperature:	+175 C
Minimum Operating Temperature:	-55 C
Mounting Style:	Through Hole
Number of Channels:	1 Channel
Package/Case:	TO-220-3
Packaging:	Tube
Part # Aliases:	IPP037N08N3 G SP000680776
Pd - Power Dissipation:	214 W
Product Category:	MOSFET
Product Type:	MOSFET
Qg - Gate Charge:	117 nC
Rds On - Drain-Source Resistance:	3.5 mOhms
Series:	OptiMOS 3
Subcategory:	MOSFETs
Technology:	Si
Tradename:	OptiMOS
Transistor Polarity:	N-Channel
Transistor Type:	1 N-Channel
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage:	80 V
Vgs - Gate-Source Voltage:	-20 V, +20 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage:	3 V
Channel Mode	Enhancement
Channel Type	N
Forward Diode Voltage	1.2V
Maximum Continuous Drain Current	100 A
Maximum Drain Source Resistance	6.3 mΩ
Maximum Drain Source Voltage	80 V
Maximum Gate Source Voltage	-20 V, +20 V
Maximum Gate Threshold Voltage	3.5V
Maximum Operating Temperature	+175 °C
Maximum Power Dissipation	214 W
Minimum Gate Threshold Voltage	2V
Minimum Operating Temperature	-55 °C
Mounting Type	Through Hole
Number of Elements per Chip	1
Package Type	TO-220
Pin Count	3
Series	OptiMOS 3
Transistor Configuration	Single
Transistor Material	Si
Typical Gate Charge @ Vgs	88 nC @ 10 V
Width	4.57mm
Вес, г	2.848