IRLB4030PBF, Транзистор полевой N-канальный 100В 180А 370Вт
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
680 руб.
от 5 шт. —
560 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 680 руб.
Альтернативные предложения1
Описание
Транзисторы / Полевые транзисторы / Одиночные MOSFET транзисторы
Транзистор полевой N-канальный 100В 180А 370Вт
Технические параметры
Корпус | TO-220AB | |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C | 180A(Tc) | |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 100V | |
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V | |
FET Feature | - | |
FET Type | N-Channel | |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 130nC @ 4.5V | |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 11360pF @ 50V | |
Manufacturer | Infineon Technologies | |
Mounting Type | Through Hole | |
Operating Temperature | -55В°C ~ 175В°C(TJ) | |
Package / Case | TO-220-3 | |
Packaging | Tube | |
Part Status | Active | |
Power Dissipation (Max) | 370W(Tc) | |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 4.3mOhm @ 110A, 10V | |
Series | HEXFETВ® | |
Supplier Device Package | TO-220AB | |
Technology | MOSFET(Metal Oxide) | |
Vgs (Max) | В±16V | |
Vgs(th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250ВµA | |
Channel Mode | Enhancement | |
Channel Type | N | |
Maximum Continuous Drain Current | 180 A | |
Maximum Drain Source Resistance | 4 mΩ | |
Maximum Drain Source Voltage | 100 V | |
Maximum Gate Source Voltage | -16 V, +16 V | |
Maximum Gate Threshold Voltage | 2.5V | |
Maximum Operating Temperature | +175 °C | |
Maximum Power Dissipation | 370 W | |
Minimum Gate Threshold Voltage | 1V | |
Minimum Operating Temperature | -55 °C | |
Number of Elements per Chip | 1 | |
Package Type | TO-220AB | |
Pin Count | 3 | |
Transistor Configuration | Single | |
Transistor Material | Si | |
Typical Gate Charge @ Vgs | 87 nC @ 4.5 V | |
Width | 4.83mm | |
Вес, г | 2.9 |
Техническая документация
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов