IRG7PH35UPBF, IGBT транзистор 1200В 35А 8-30кГц TO247AC восстановленное лужение выводов
см. техническую документацию
Описание
Компания International Rectifier представила новое семейство надежных и эффективных IGBT транзисторов на 1200 В для индукционного нагрева, бесперебойных источников питания (UPS), солнечных батарей и сварочной техники.
Это транзисторы: IRG7PH35UPBF, IRG7PH42UPBF, IRG7PH46UPBF и также аналогичные приборы со встроенным диодом с малым временем восстановления. Новое семейство сверхбыстрых 1200 В транзисторов разработано на основе Trench технологии с плоской подложкой Field-Stop, которая позволяет значительно сократить потери на переключение и проводимость для повышения плотности мощности и эффективности работы на высоких частотах. Транзисторы также оптимизированы для применений, не требующих защиты от короткого замыкания, таких как UPS, солнечные инвертеры, сварочное оборудование, и дополняют линейку продукции IR для управления приводами со стойкостью к воздействию тока короткого замыкания в течение 10 мс.
Линейка транзисторов охватывает диапазон токов 20-40 А для корпусированных приборов и до 150 А для кристаллов. Ключевыми преимуществами IGBT является квадратная область безопасной работы (RBSOA), положительный температурный коэффициент напряжения насыщения коллектор-эмиттер (VCEon), малое напряжение насыщения VCEon для уменьшения мощности рассеивания и повышения плотности энергии.
Технические параметры
| Максимальное напряжение КЭ ,В | 1200 | |
| Напряжение насыщения при номинальном токе, В | 1.9 | |
| Корпус | to247ac | |
| Максимальная частота переключения, кГц | 30 | |
| Максимальный ток кэ при 100 гр. С,A | 35 | |
| Максимальный ток кэ при 25 гр. С,A | 55 | |
| Мощность макс.,Вт | 210 | |
| Особенности*: сфера применения | UPS, сварка, индукционный нагрев | |
| Структура*: дискретный транзистор или со встроенным диодом с мягким восстановлением | n-канал | |
| Управляющее напряжение,В | 6 | |
| Category | Discrete Semiconductor Products | |
| Current - Collector (Ic) (Max) | 55A | |
| Current - Collector Pulsed (Icm) | 60A | |
| Family | IGBTs-Single | |
| Gate Charge | 85nC | |
| IGBT Type | Trench | |
| Input Type | Standard | |
| Mounting Type | Through Hole | |
| Online Catalog | Standard IGBTs | |
| Package / Case | TO-247-3 | |
| Packaging | Tube | |
| PCN Assembly/Origin | IGBT Backend Wafer Processing 23/Oct/2013IGBT Wafer Fab Change 08/Nov/2013 | |
| PCN Packaging | Package Drawing Update 19/Aug/2015 | |
| Power - Max | 210W | |
| Product Training Modules | IGBT Primer Device and ApplicationsHigh Voltage Integrated Circuits(HVIC Gate Drivers) | |
| Reverse Recovery Time (trr) | - | |
| Series | - | |
| Standard Package | 25 | |
| Supplier Device Package | TO-247AC | |
| Switching Energy | 1.06mJ(on), 620µJ(off) | |
| Td (on/off) @ 25°C | 30ns/160ns | |
| Test Condition | 600V, 20A, 10 Ohm, 15V | |
| Vce(on) (Max) @ Vge, Ic | 2.2V @ 15V, 20A | |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 1200V | |
| Вес, г | 7.5 |
Техническая документация
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные с изолированным затвором (IGBTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
