STB28NM50N, Транзистор полевой N-канальный 500В 21А 150Вт
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
496 шт. со склада г.Москва, срок 2 недели
800 руб.
от 9 шт. —
680 руб.
от 17 шт. —
635 руб.
от 33 шт. —
625 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 800 руб.
Альтернативные предложения2
Описание
Транзисторы / Полевые транзисторы / Одиночные MOSFET транзисторы
Транзистор полевой N-канальный 500В 21А 150Вт
Технические параметры
Корпус | D2Pak(TO-263) | |
Brand: | STMicroelectronics | |
Channel Mode: | Enhancement | |
Configuration: | Single | |
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 1000 | |
Fall Time: | 52 ns | |
Id - Continuous Drain Current: | 21 A | |
Manufacturer: | STMicroelectronics | |
Maximum Operating Temperature: | +150 C | |
Minimum Operating Temperature: | -55 C | |
Mounting Style: | SMD/SMT | |
Number of Channels: | 1 Channel | |
Package/Case: | D2PAK-3(TO-263-3) | |
Pd - Power Dissipation: | 150 W | |
Product Category: | MOSFET | |
Product Type: | MOSFET | |
Qg - Gate Charge: | 50 nC | |
Rds On - Drain-Source Resistance: | 158 mOhms | |
Rise Time: | 19 ns | |
Series: | STB28NM50N | |
Subcategory: | MOSFETs | |
Technology: | Si | |
Tradename: | MDmesh | |
Transistor Polarity: | N-Channel | |
Transistor Type: | 1 N-Channel | |
Type: | N-Channel MDmesh II Power MOSFET | |
Typical Turn-Off Delay Time: | 62 ns | |
Typical Turn-On Delay Time: | 13.6 ns | |
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 500 V | |
Vgs - Gate-Source Voltage: | -25 V, +25 V | |
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 4 V | |
Brand | STMicroelectronics | |
Configuration | Single | |
Factory Pack Quantity | 1000 | |
Fall Time | 52 ns | |
Id - Continuous Drain Current | 21 A | |
Manufacturer | STMicroelectronics | |
Maximum Operating Temperature | +150 C | |
Mounting Style | SMD/SMT | |
Number of Channels | 1 Channel | |
Package / Case | TO-263-3 | |
Packaging | Reel | |
Pd - Power Dissipation | 150 W | |
Product Category | MOSFET | |
Qg - Gate Charge | 50 nC | |
Rds On - Drain-Source Resistance | 158 mOhms | |
Rise Time | 19 ns | |
RoHS | Details | |
Series | N-channel MDmesh | |
Technology | Si | |
Transistor Polarity | N-Channel | |
Transistor Type | 1 N-Channel | |
Type | N-Channel MDmesh II Power MOSFET | |
Typical Turn-Off Delay Time | 62 ns | |
Typical Turn-On Delay Time | 13.6 ns | |
Unit Weight | 0.139332 oz | |
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 500 V | |
Vgs - Gate-Source Voltage | +/-25 V | |
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage | 4 V | |
Вес, г | 1.46 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 960 КБ
Datasheet
pdf, 945 КБ
STB28NM50N, STF28NM50N, STP28NM50N, STW28NM50N
pdf, 960 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.