2N7002K-T1-GE3, Транзистор N-CH Si 60V 0.3A 3-Pin [SOT-23]

Артикул: 2N7002K-T1-GE3
Ном. номер: 9000251869
Производитель: Vishay
2N7002K-T1-GE3, Транзистор N-CH Si 60V 0.3A 3-Pin [SOT-23]
Доступно на заказ 7439 шт. Отгрузка со склада в Москве 7 недель.
30 × = 30
от 25 шт. — 25 руб.
от 100 шт. — 19 руб.

Описание

The 2N7002K-T1-GE3 is a TrenchFET® N-channel enhancement-mode Power MOSFET offers low Input and output leakage.

• 2R Low ON-resistance
• 2V Low threshold
• 25pF Low input capacitance
• 25ns Fast switching speed
• 2000V ESD Protection
• Halogen-free
• Low offset voltage
• Low-voltage operation
• Easily driven without buffer
• High-speed circuits
• Low error voltage

Код: 1858936

Технические параметры

Полярность Транзистора
N Канал
Непрерывный Ток Стока
190мА
Напряжение Истока-стока Vds
60В
Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on)
2Ом
Напряжение Измерения Rds(on)
10В
Пороговое Напряжение Vgs
Рассеиваемая Мощность
350мВт
Стиль Корпуса Транзистора
SOT-23
Количество Выводов
3вывод(-ов)
Максимальная Рабочая Температура
150°C
Уровень Чувствительности к Влажности (MSL)
MSL 1 - Безлимитный

Техническая документация

2n7002k
pdf, 217 КБ

Дополнительная информация

Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Datasheet 2N7002K-T1-GE3