IRLL2705TRPBF, Транзистор N-CH 55V 3.8A [SOT223]

Артикул: IRLL2705TRPBF
Ном. номер: 9000287462
Производитель: International Rectifier
IRLL2705TRPBF, Транзистор N-CH 55V 3.8A [SOT223]
Доступно на заказ 1704 шт. Отгрузка со склада в Москве 6 недель.
34 × = 34
от 25 шт. — 30 руб.
от 100 шт. — 26 руб.

Описание

The IRLL2705TRPBF is a HEXFET® fifth generation single N-channel Power MOSFET utilizes advanced processing techniques to achieve extremely low ON-resistance per silicon area. This benefit combined with the fast switching speed and ruggedized device design, provides an extremely efficient and reliable operation. The package is designed for surface-mount using vapour phase, infrared or wave soldering techniques. Its unique package design allows for easy automatic pick-and-place as with other SOT or SOIC packages but has the added advantage of improved thermal performance due to an enlarged tab for heat sinking. Power dissipation of 1W is possible in a typical surface-mount application.

• Dynamic dV/dt rating
• Logic level gate drive
• Ease of paralleling
• Advanced process technology
• Low static drain-to-source ON-resistance

Код: 2468049

Технические параметры

Полярность Транзистора
N Канал
Непрерывный Ток Стока
3.8А
Напряжение Истока-стока Vds
55В
Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on)
0.04Ом
Напряжение Измерения Rds(on)
10В
Пороговое Напряжение Vgs
Рассеиваемая Мощность
1Вт
Стиль Корпуса Транзистора
SOT-223
Количество Выводов
3вывод(-ов)
Максимальная Рабочая Температура
150°C
Уровень Чувствительности к Влажности (MSL)
MSL 1 - Безлимитный

Дополнительная информация

Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Datasheet IRLL2705TRPBF