AOD2N60A, Транзистор N-MOSFET 600В 2А [DPAK]
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
130 руб.
от 5 шт. —
70 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 130 руб.
Описание
Транзистор: N-MOSFET, полевой, 600В, 1,4А, 57Вт, TO252
Технические параметры
Automotive | Unknown |
Channel Mode | Enhancement |
Channel Type | N |
Configuration | Single |
Maximum Continuous Drain Current - (A) | 2 |
Maximum Drain Source Resistance - (mOhm) | 4700@10V |
Maximum Drain Source Voltage - (V) | 600 |
Maximum Gate Source Voltage - (V) | ??30 |
Maximum Gate Threshold Voltage - (V) | 4.5 |
Maximum Power Dissipation - (mW) | 57000 |
Military | No |
Number of Elements per Chip | 1 |
Operating Temperature - (??C) | -50~150 |
Packaging | Tape and Reel |
Pin Count | 3 |
Standard Package Name | TO-252 |
Supplier Package | DPAK |
Typical Gate Charge @ 10V - (nC) | 6.5 |
Typical Gate Charge @ Vgs - (nC) | 6.5@10V |
Typical Input Capacitance @ Vds - (pF) | 295@25V |
Вес, г | 0.39 |
Техническая документация
AOD2N60A
pdf, 428 КБ
Документация
pdf, 428 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов