SIZ322DT-T1-GE3, Двойной МОП-транзистор, N Канал, 25 В, 30 А, 0.00529 Ом, PowerPAIR, Surface Mount
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
190 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 190 руб.
Описание
Trans MOSFET N-CH 25V 30A 8-Pin PowerPAIR EP T/R
Технические параметры
Automotive | No |
Channel Mode | Enhancement |
Channel Type | N |
Configuration | Dual |
ECCN (US) | EAR99 |
EU RoHS | Compliant |
Maximum Continuous Drain Current (A) | 30 |
Maximum Drain Source Resistance (mOhm) | 6.35@10V |
Maximum Drain Source Voltage (V) | 25 |
Maximum Gate Source Voltage (V) | 16 |
Maximum Operating Temperature (°C) | 150 |
Maximum Power Dissipation (mW) | 3700 |
Minimum Operating Temperature (°C) | -55 |
Mounting | Surface Mount |
Number of Elements per Chip | 2 |
Packaging | Tape and Reel |
Part Status | Active |
PCB changed | 8 |
Pin Count | 8 |
PPAP | No |
Product Category | Power MOSFET |
Supplier Package | PowerPAIR EP |
Typical Fall Time (ns) | 25 |
Typical Gate Charge @ 10V (nC) | 13.4 |
Typical Gate Charge @ Vgs (nC) | 6.2@4.5V|13.4@10V |
Typical Input Capacitance @ Vds (pF) | 950@12.5V |
Typical Rise Time (ns) | 45 |
Typical Turn-Off Delay Time (ns) | 20 |
Typical Turn-On Delay Time (ns) | 15 |
Вес, г | 3 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 343 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов