SMMUN2114LT1G, 80@5mA,10V 250mV@10mA,300uA One PNP - Pre-Biased 246mW 100mA 50V 500nA SOT-23 Digital Transistors ROHS
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
20 руб.
от 5 шт. —
16 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 20 руб.
Технические параметры
| Collector Emitter Voltage Max PNP | 50В |
| Continuous Collector Current | 100мА |
| DC Current Gain hFE Min | 80hFE |
| Power Dissipation | 400мВт |
| Квалификация | AEC-Q101 |
| Количество Выводов | 3 Вывода |
| Максимальная Рабочая Температура | 150°C |
| Монтаж транзистора | Surface Mount |
| Полярность Транзистора | Single PNP |
| Резистор База-эмиттер R2 | 47кОм |
| Резистор На входе Базы R1 | 10кОм |
| Стиль Корпуса Транзистора | SOT-23 |
| Уровень Чувствительности к Влажности (MSL) | MSL 1-Безлимитный |
| Вес, г | 0.04 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 457 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные (BJTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Похожие товары
![КТ209А (2020г.), Биполярный транзистор, PNP, -15В, -0.3А, 0.2Вт, 5МГц, h21e=20…60 [КТ-26 / TO-92]](https://static.chipdip.ru/lib/299/DOC005299940.jpg)
