AOD2610E, Транзистор N-MOSFET, полевой, 60В, 36,5А, 23,5Вт, TO252
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
92 руб.
от 5 шт. —
76 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 92 руб.
Описание
Описание Транзистор N-MOSFET, полевой, 60В, 36,5А, 23,5Вт, TO252
Технические параметры
| Case | TO252 |
| Drain current | 36.5A |
| Drain-source voltage | 60V |
| Features of semiconductor devices | ESD protected gate |
| Gate charge | 7nC |
| Gate-source voltage | ±20V |
| Kind of channel | enhanced |
| Manufacturer | ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR |
| Mounting | SMD |
| On-state resistance | 9.5mΩ |
| Polarisation | unipolar |
| Power dissipation | 23.5W |
| Type of transistor | N-MOSFET |
| Вес, г | 0.47 |
Техническая документация
Datasheet AOD2610E
pdf, 411 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
