SUD50P04-08-BE3, MOSFET P-CHANNEL 40V (D-S)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
420 руб.
от 5 шт. —
330 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 420 руб.
Технические параметры
Brand: | Vishay/Siliconix |
Channel Mode: | Enhancement |
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 2000 |
Fall Time: | 18 ns |
Id - Continuous Drain Current: | 50 A |
Manufacturer: | Vishay |
Maximum Operating Temperature: | +150 C |
Minimum Operating Temperature: | -55 C |
Mounting Style: | SMD/SMT |
Number of Channels: | 1 Channel |
Package / Case: | TO-252-3 |
Part # Aliases: | SUD50P04-08-GE3 |
Pd - Power Dissipation: | 73.5 W |
Product Category: | MOSFET |
Product Type: | MOSFET |
Qg - Gate Charge: | 159 nC |
Rds On - Drain-Source Resistance: | 8.1 mOhms |
Rise Time: | 12 ns |
Series: | SUD50P04 |
Subcategory: | MOSFETs |
Technology: | Si |
Tradename: | TrenchFET |
Transistor Polarity: | P-Channel |
Transistor Type: | 1 P-Channel |
Typical Turn-Off Delay Time: | 70 ns |
Typical Turn-On Delay Time: | 15 ns |
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 40 V |
Vgs - Gate-Source Voltage: | -20 V, +20 V |
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 2.5 V |
Вес, г | 0.33 |
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов