BSC16DN25NS3GATMA1
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
940 руб.
от 2 шт. —
820 руб.
от 5 шт. —
744 руб.
от 6 шт. —
712.50 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 940 руб.
Описание
Электроэлемент
MOSFET, N-CH, 250V, 10.9A, TDSON-8; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:10.9A; Drain Source Voltage Vds:250V; On Resistance Rds(on):0.146ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs:3V;
Технические параметры
| RoHS Compliant | Yes |
| Channel Type | N |
| Maximum Gate Emitter Voltage | ±20V |
| Maximum Power Dissipation | 62.5 W |
| Mounting Type | Through Hole |
| Package Type | PG-TDSON-8 |
| Pin Count | 8 |
| Вес, г | 0.2 |
Техническая документация
Datasheet BSC16DN25NS3GATMA1
pdf, 577 КБ
