Главная › Электронные компоненты › Транзисторы › Транзисторы цифровые (BRTs) › NXP › PDTD123YT

PDTD123YT

Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию

97 руб.

Мин. кол-во для заказа 2 шт.

от 5 шт. — 43 руб.

от 10 шт. — 26 руб.

от 62 шт. — 11.81 руб.

Добавить в корзину 2 шт. на сумму 194 руб.

Альтернативные предложения5

Номенклатурный номер: 8002973546

Бренд: NXP Semiconductor

Описание

Электроэлемент

Bipolar Pre-Biased / Digital Transistor, BRT, Single NPN, 50 V, 500 mA, 2.2 kohm, 10 kohm

Технические параметры

RoHS Compliant	Yes
Maximum Collector Emitter Saturation Voltage	0.3 V
Maximum Operating Temperature	+150 °C
Typical Resistor Ratio	0.22
Number of Elements per Chip	1
Length	3mm
Transistor Configuration	Single
Brand	Nexperia
Maximum Collector Emitter Voltage	50 V
Maximum Continuous Collector Current	500 mA
Package Type	SOT-23 (TO-236AB)
Mounting Type	Surface Mount
Minimum Operating Temperature	-65 °C
Width	1.4mm
Transistor Type	NPN
Height	1mm
Pin Count	3
Dimensions	3 x 1.4 x 1mm
Maximum Emitter Base Voltage	5 V
Typical Input Resistor	2.2 kΩ
Minimum DC Current Gain	70
Вид монтажа	SMD/SMT
Высота	1 mm
Длина	3 mm
Другие названия товара №	PDTD123YT T/R
Категория продукта	Биполярные транзисторы - С предварительно заданным
Конфигурация	Single
Максимальная рабочая температура	+ 150 C
Минимальная рабочая температура	65 C
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.	50 V
Непрерывный коллекторный ток	500 mA
Пиковый постоянный ток коллектора	500 mA
Подкатегория	Transistors
Полярность транзистора	NPN
Размер фабричной упаковки	3000
Тип продукта	BJTs - Bipolar Transistors - Pre-Biased
Типичное входное сопротивление	2.2 kOhms
Типичный коэффициент деления резистора	0.219
Торговая марка	Nexperia
Упаковка / блок	SOT-23-3
Ширина	1.4 mm
Collector-Emitter Breakdown Voltage	50V
Maximum DC Collector Current	500mA
Pd - Power Dissipation	250mW
Вес, г	0.02