ZTX560, Bipolar Transistors - BJT PNP High V 500V

ZTX560, Bipolar Transistors - BJT PNP High V 500V
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
180 руб.
от 10 шт.160 руб.
от 100 шт.101 руб.
от 500 шт.88.04 руб.
Добавить в корзину 1 шт. на сумму 180 руб.
Номенклатурный номер: 8004841839
Артикул: ZTX560
Бренд: DIODES INC.

Описание

Semiconductors\Discrete Semiconductors\Transistors\Bipolar Transistors - BJT

Технические параметры

Brand: Diodes Incorporated
Collector- Base Voltage VCBO: 500 V
Collector- Emitter Voltage VCEO Max: 500 V
Collector-Emitter Saturation Voltage: 500 mV
Configuration: Single
Continuous Collector Current: -150 mA
Emitter- Base Voltage VEBO: 5 V
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: 4000
Gain Bandwidth Product fT: 60 MHz
Manufacturer: Diodes Incorporated
Maximum DC Collector Current: 150 mA
Maximum Operating Temperature: +150 C
Minimum Operating Temperature: -55 C
Mounting Style: Through Hole
Package / Case: TO-92-3
Packaging: Bulk
Pd - Power Dissipation: 1 W
Product Category: Bipolar Transistors-BJT
Product Type: BJTs-Bipolar Transistors
Series: ZTX560
Subcategory: Transistors
Technology: Si
Transistor Polarity: PNP
Вес, г 0.23

Техническая документация

Datasheet ZTX560
pdf, 118 КБ

Дополнительная информация

Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные (BJTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов