ZTX853
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
320 руб.
от 10 шт. —
240 руб.
от 100 шт. —
171 руб.
от 500 шт. —
135.53 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 320 руб.
Описание
Описание Транзистор: NPN, биполярный, 100В, 4А, 1,2Вт, TO92 Характеристики
Категория | Транзистор |
Тип | биполярный |
Вид | NPN |
Технические параметры
Brand: | Diodes Incorporated |
Collector- Base Voltage VCBO: | 200 V |
Collector- Emitter Voltage VCEO Max: | 100 V |
Collector-Emitter Saturation Voltage: | 160 mV |
Configuration: | Single |
Continuous Collector Current: | 4 A |
Emitter- Base Voltage VEBO: | 6 V |
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 4000 |
Gain Bandwidth Product fT: | 130 MHz |
Manufacturer: | Diodes Incorporated |
Maximum DC Collector Current: | 4 A |
Maximum Operating Temperature: | +200 C |
Minimum Operating Temperature: | -55 C |
Mounting Style: | Through Hole |
Package / Case: | TO-92-3 |
Packaging: | Bulk |
Pd - Power Dissipation: | 1.2 W |
Product Category: | Bipolar Transistors-BJT |
Product Type: | BJTs-Bipolar Transistors |
Series: | ZTX853 |
Subcategory: | Transistors |
Technology: | Si |
Transistor Polarity: | NPN |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 86 КБ