C3M0065090J-TR, MOSFET G3 SiC MOSFET 900V, 65mOhm
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
2709 шт., срок 7-9 недель
5 610 руб.
от 10 шт. —
4 390 руб.
от 25 шт. —
4 270 руб.
от 50 шт. —
3 753.92 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 5 610 руб.
Альтернативные предложения1
Описание
Trans MOSFET N-CH SiC 900V 35A 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R
Технические параметры
| Automotive | Unknown |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Configuration | Single Hex Source |
| ECCN (US) | EAR99 |
| Material | SiC |
| Maximum Continuous Drain Current (A) | 35 |
| Maximum Drain Source Resistance (mOhm) | 78@15V |
| Maximum Drain Source Voltage (V) | 900 |
| Maximum Gate Source Leakage Current (nA) | 250 |
| Maximum Gate Source Voltage (V) | 19 |
| Maximum Gate Threshold Voltage (V) | 3.5 |
| Maximum IDSS (uA) | 100 |
| Maximum Operating Temperature (°C) | 150 |
| Maximum Power Dissipation (mW) | 113000 |
| Minimum Operating Temperature (°C) | -55 |
| Mounting | Surface Mount |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Packaging | Tape and Reel |
| Part Status | Unconfirmed |
| PCB changed | 7 |
| Pin Count | 8 |
| PPAP | Unknown |
| Process Technology | C3M |
| Product Category | Power MOSFET |
| Supplier Package | D2PAK |
| Supplier Temperature Grade | Industrial |
| Tab | Tab |
| Typical Fall Time (ns) | 4 |
| Typical Gate Charge @ Vgs (nC) | 30@15V |
| Typical Input Capacitance @ Vds (pF) | 760@600V |
| Typical Rise Time (ns) | 8 |
| Typical Turn-Off Delay Time (ns) | 13 |
| Typical Turn-On Delay Time (ns) | 7 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 759 КБ
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.
