G3R450MT17D, Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 1,7кВ; 6А; Idm: 16А; 88Вт
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
550 шт., срок 7 недель
2 360 руб.
от 3 шт. —
1 880 руб.
от 10 шт. —
1 510 руб.
от 30 шт. —
1 322.24 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 2 360 руб.
Альтернативные предложения1
Описание
Semiconductors\Transistors\Unipolar transistors\N channel transistors
Технические параметры
Case | TO247-3 |
Drain current | 6A |
Drain-source voltage | 1.7kV |
Gate charge | 18nC |
Gate-source voltage | -5…15V |
Kind of channel | enhanced |
Kind of package | tube |
Manufacturer | GeneSiC SEMICONDUCTOR |
Mounting | THT |
On-state resistance | 0.45Ω |
Polarisation | unipolar |
Power dissipation | 88W |
Pulsed drain current | 16A |
Technology | G3R™, SiC |
Type of transistor | N-MOSFET |
Channel Type | N Channel |
Drain Source On State Resistance | 0.45Ом |
Количество Выводов | 3вывод(-ов) |
Конфигурация МОП-транзистора | Single |
Линейка Продукции | G3R |
Максимальная Рабочая Температура | 175°C |
Напряжение Измерения Rds(on) | 15В |
Напряжение Истока-стока Vds | 1.7кВ |
Непрерывный Ток Стока | 9А |
Полярность Транзистора | N Канал |
Пороговое Напряжение Vgs | 2.7В |
Рассеиваемая Мощность | 88Вт |
Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on) | 0.45Ом |
Стиль Корпуса Транзистора | TO-247 |
Вес, г | 6.1 |
Техническая документация
Datasheet G3R450MT17D
pdf, 1070 КБ
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.