DXTN07060BFG-7

Фото 1/2 DXTN07060BFG-7
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
170 руб.
от 10 шт.150 руб.
от 100 шт.87 руб.
от 500 шт.65.72 руб.
Добавить в корзину 1 шт. на сумму 170 руб.
Номенклатурный номер: 8007510897
Бренд: DIODES INC.

Описание

Биполярные транзисторы - BJT Pwr Mid Perf Transistor

Технические параметры

Pd - рассеивание мощности 3.1 W
Вид монтажа SMD/SMT
Категория продукта Биполярные транзисторы - BJT
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) 100
Конфигурация Single
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс. 300
Максимальная рабочая температура + 175 C
Максимальный постоянный ток коллектора 3 A
Минимальная рабочая температура 55 C
Напряжение коллектор-база (VCBO) 80 V
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. 60 V
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер 200 mV
Напряжение эмиттер-база (VEBO) 7 V
Непрерывный коллекторный ток 3 A
Подкатегория Transistors
Полярность транзистора NPN
Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT) 175 MHz
Размер фабричной упаковки 2000
Технология Si
Тип продукта BJTs - Bipolar Transistors
Торговая марка Diodes Incorporated
Упаковка / блок PowerDI3333-8
Collector Emitter Voltage Max 60В
Continuous Collector Current
DC Current Gain hFE Min 40hFE
DC Усиление Тока hFE 40hFE
Power Dissipation 3.1Вт
Квалификация -
Количество Выводов 8вывод(-ов)
Линейка Продукции DXT Series
Монтаж транзистора Surface Mount
Стиль Корпуса Транзистора PowerDI3333
Частота Перехода ft 175МГц

Техническая документация

Datasheet DXTN07060BFG-7
pdf, 728 КБ