DXTN07060BFG-7
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
170 руб.
от 10 шт. —
150 руб.
от 100 шт. —
87 руб.
от 500 шт. —
65.72 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 170 руб.
Описание
Биполярные транзисторы - BJT Pwr Mid Perf Transistor
Технические параметры
Pd - рассеивание мощности | 3.1 W |
Вид монтажа | SMD/SMT |
Категория продукта | Биполярные транзисторы - BJT |
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) | 100 |
Конфигурация | Single |
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс. | 300 |
Максимальная рабочая температура | + 175 C |
Максимальный постоянный ток коллектора | 3 A |
Минимальная рабочая температура | 55 C |
Напряжение коллектор-база (VCBO) | 80 V |
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 60 V |
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 200 mV |
Напряжение эмиттер-база (VEBO) | 7 V |
Непрерывный коллекторный ток | 3 A |
Подкатегория | Transistors |
Полярность транзистора | NPN |
Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT) | 175 MHz |
Размер фабричной упаковки | 2000 |
Технология | Si |
Тип продукта | BJTs - Bipolar Transistors |
Торговая марка | Diodes Incorporated |
Упаковка / блок | PowerDI3333-8 |
Collector Emitter Voltage Max | 60В |
Continuous Collector Current | 3А |
DC Current Gain hFE Min | 40hFE |
DC Усиление Тока hFE | 40hFE |
Power Dissipation | 3.1Вт |
Квалификация | - |
Количество Выводов | 8вывод(-ов) |
Линейка Продукции | DXT Series |
Монтаж транзистора | Surface Mount |
Стиль Корпуса Транзистора | PowerDI3333 |
Частота Перехода ft | 175МГц |
Техническая документация
Datasheet DXTN07060BFG-7
pdf, 728 КБ