DXTN07045DFG-7
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
180 руб.
от 10 шт. —
150 руб.
от 100 шт. —
92 руб.
от 500 шт. —
69.56 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 180 руб.
Описание
Биполярные транзисторы - BJT Pwr Mid Perf Transistor
Технические параметры
Pd - рассеивание мощности | 3.1 W |
Вид монтажа | SMD/SMT |
Категория продукта | Биполярные транзисторы - BJT |
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) | 400 |
Конфигурация | Single |
Максимальная рабочая температура | + 175 C |
Максимальный постоянный ток коллектора | 3 A |
Минимальная рабочая температура | 55 C |
Напряжение коллектор-база (VCBO) | 45 V |
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 45 V |
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 140 mV |
Напряжение эмиттер-база (VEBO) | 7 V |
Непрерывный коллекторный ток | 3 A |
Подкатегория | Transistors |
Полярность транзистора | NPN |
Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT) | 150 MHz |
Размер фабричной упаковки | 2000 |
Технология | Si |
Тип продукта | BJTs - Bipolar Transistors |
Торговая марка | Diodes Incorporated |
Упаковка / блок | PowerDI3333-8 |
Техническая документация
Datasheet DXTN07045DFG-7
pdf, 806 КБ