TSM2306CX RFG
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
71589 шт., срок 6-8 недель
180 руб.
от 10 шт. —
160 руб.
от 100 шт. —
93 руб.
от 500 шт. —
74.96 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 180 руб.
Альтернативные предложения1
Описание
Описание Транзистор полевой TSM2306CX RFG от производителя TAIWAN SEMICONDUCTORS представляет собой высококачественный N-MOSFET компонент для поверхностного монтажа (SMD). Способен выдерживать ток стока до 3,5 А и напряжение сток-исток до 30 В. Отличается низким сопротивлением в открытом состоянии, всего 0,057 Ом, что обеспечивает эффективную работу в различных электронных устройствах. Упакованный в компактный корпус SOT23, TSM2306CXRFG легко интегрируется в микросхемы, обеспечивая надежность и долговечность вашей электроники. Характеристики
| Категория | Транзистор |
| Тип | полевой |
| Вид | N-MOSFET |
| Монтаж | SMD |
| Ток стока, А | 3.5 |
| Напряжение сток-исток, В | 30 |
| Сопротивление в открытом состоянии, Ом | 0.057 |
| Корпус | SOT23 |
Технические параметры
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Maximum Continuous Drain Current | 3.5 A |
| Maximum Drain Source Resistance | 94 mΩ |
| Maximum Drain Source Voltage | 30 V |
| Maximum Gate Source Voltage | -20 V, +20 V |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 3V |
| Maximum Operating Temperature | +150 °C |
| Maximum Power Dissipation | 1.25 W |
| Minimum Operating Temperature | -55 °C |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Package Type | SOT-23 |
| Pin Count | 3 |
| Transistor Configuration | Single |
| Transistor Material | Si |
| Typical Gate Charge @ Vgs | 4.2 nC @ 10 V |
| Width | 1.7mm |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 1680 КБ
Datasheet TSM2306CX RFG
pdf, 238 КБ
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.
