2SC4213-B(TE85L.F)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
82 шт. со склада г.Москва, срок 6-7 дней
120 руб.
Мин. кол-во для заказа 2 шт.
Добавить в корзину 2 шт.
на сумму 240 руб.
Альтернативные предложения1
Описание
Электроэлемент
Bipolar Transistors - BJT NPN 0.3A IC 20V Gen Purp Trans
Технические параметры
Brand | Toshiba |
Collector- Base Voltage VCBO | 50 V |
Collector- Emitter Voltage VCEO Max | 20 V |
Collector-Emitter Saturation Voltage | 0.042 V |
Configuration | Single |
Continuous Collector Current | 300 mA |
DC Collector/Base Gain hfe Min | 200 |
DC Current Gain hFE Max | 1200 |
Emitter- Base Voltage VEBO | 25 V |
Factory Pack Quantity | 3000 |
Gain Bandwidth Product fT | 30 MHz |
Manufacturer | Toshiba |
Maximum DC Collector Current | 300 mA |
Mounting Style | SMD/SMT |
Package / Case | SOT-323-3 |
Packaging | Reel |
Pd - Power Dissipation | 100 mW |
Product Category | Bipolar Transistors-BJT |
RoHS | Details |
Series | 2SC4213 |
Transistor Polarity | NPN |
Unit Weight | 0.000176 oz |
Collector Emitter Voltage Max | 20В |
DC Current Gain hFE Min | 200hFE |
Power Dissipation | 100мВт |
Количество Выводов | 3вывод(-ов) |
Максимальная Рабочая Температура | 125°C |
Монтаж транзистора | Surface Mount |
Полярность Транзистора | NPN |
Стиль Корпуса Транзистора | SOT-323 |
Частота Перехода ft | 30МГц |
Техническая документация
Документация
pdf, 275 КБ
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.