G3R20MT12N, Модуль; одиночный транзистор; 1,2кВ; 74А; SOT227B; винтами; 365Вт
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
153 шт., срок 7 недель
13 040 руб.
от 3 шт. —
12 020 руб.
от 10 шт. —
11 190 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 13 040 руб.
Альтернативные предложения1
Описание
Semiconductors\Discrete semiconductors modules\Transistor modules MOSFET\Semiconductors
Технические параметры
| Case | SOT227B |
| Drain current | 74A |
| Drain-source voltage | 1.2kV |
| Electrical mounting | screw |
| Gate-source voltage | -5…15V |
| Kind of channel | enhanced |
| Manufacturer | GeneSiC SEMICONDUCTOR |
| Mechanical mounting | screw |
| On-state resistance | 20mΩ |
| Polarisation | unipolar |
| Power dissipation | 365W |
| Pulsed drain current | 240A |
| Semiconductor structure | single transistor |
| Technology | G3R™, SiC |
| Type of module | MOSFET transistor |
| Вес, г | 35.4 |
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.
