IRLML0060TRPBF, Транзистор, N-канал 60В 2.7А [мicОмo3 / SOT-23]
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
57 руб.
Кратность заказа 100 шт.
от 500 шт. —
40 руб.
от 3000 шт. —
31 руб.
от 6000 шт. —
27.71 руб.
Добавить в корзину 100 шт.
на сумму 5 700 руб.
Альтернативные предложения1
Описание
Описание Транзистор, N-канал 60В 2.7А [мicОмo3 / SOT-23]
Технические параметры
Крутизна характеристики S,А/В | 7.6 |
Максимальное пороговое напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | 2.5 |
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл.,мОм | 116 |
Температура, С | -55…+150 |
Transistor Polarity | N Channel; Continuous Drain Current Id |
Channel Mode | Enhancement |
Channel Type | N |
Maximum Continuous Drain Current | 2.7 A |
Maximum Drain Source Resistance | 92 mΩ |
Maximum Drain Source Voltage | 60 V |
Maximum Gate Source Voltage | -16 V, +16 V |
Maximum Gate Threshold Voltage | 2.5V |
Maximum Operating Temperature | +150 °C |
Maximum Power Dissipation | 1.25 W |
Minimum Gate Threshold Voltage | 1V |
Minimum Operating Temperature | -55 °C |
Mounting Type | Surface Mount |
Number of Elements per Chip | 1 |
Package Type | SOT-23 |
Pin Count | 3 |
Series | HEXFET |
Transistor Configuration | Single |
Transistor Material | Si |
Typical Gate Charge @ Vgs | 2.5 nC @ 4.5 V |
Width | 1.4mm |
Вес, г | 0.03 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 1680 КБ
Datasheet
pdf, 907 КБ
Datasheet
pdf, 199 КБ
Datasheet IRLML0060TRPBF
pdf, 299 КБ
Datasheet IRLML0060PBF
pdf, 199 КБ