IRLML0060TRPBF, Транзистор, N-канал 60В 2.7А [мicОмo3 / SOT-23]

Фото 1/10 IRLML0060TRPBF, Транзистор, N-канал 60В 2.7А [мicОмo3 / SOT-23]
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
57 руб.
Кратность заказа 100 шт.
от 500 шт.40 руб.
от 3000 шт.31 руб.
от 6000 шт.27.71 руб.
Добавить в корзину 100 шт. на сумму 5 700 руб.
Альтернативные предложения1
Номенклатурный номер: 8023130075
Артикул: IRLML0060TRPBF

Описание

Описание Транзистор, N-канал 60В 2.7А [мicОмo3 / SOT-23]

Технические параметры

Крутизна характеристики S,А/В 7.6
Максимальное пороговое напряжение затвор-исток Uзи макс.,В 2.5
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл.,мОм 116
Температура, С -55…+150
Transistor Polarity N Channel; Continuous Drain Current Id
Channel Mode Enhancement
Channel Type N
Maximum Continuous Drain Current 2.7 A
Maximum Drain Source Resistance 92 mΩ
Maximum Drain Source Voltage 60 V
Maximum Gate Source Voltage -16 V, +16 V
Maximum Gate Threshold Voltage 2.5V
Maximum Operating Temperature +150 °C
Maximum Power Dissipation 1.25 W
Minimum Gate Threshold Voltage 1V
Minimum Operating Temperature -55 °C
Mounting Type Surface Mount
Number of Elements per Chip 1
Package Type SOT-23
Pin Count 3
Series HEXFET
Transistor Configuration Single
Transistor Material Si
Typical Gate Charge @ Vgs 2.5 nC @ 4.5 V
Width 1.4mm
Вес, г 0.03

Техническая документация

Datasheet
pdf, 1680 КБ
Datasheet
pdf, 907 КБ
Datasheet
pdf, 199 КБ
Datasheet IRLML0060TRPBF
pdf, 299 КБ
Datasheet IRLML0060PBF
pdf, 199 КБ

Видео