IRLML2030TRPBF, Транзистор: N-MOSFET, полевой, 30В, 2,7А, 1,3Вт, SOT23
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
41 руб.
Кратность заказа 100 шт.
от 500 шт. —
29 руб.
от 3000 шт. —
22 руб.
от 6000 шт. —
19.79 руб.
Добавить в корзину 100 шт.
на сумму 4 100 руб.
Альтернативные предложения1
Описание
Описание Транзистор: N-MOSFET, полевой, 30В, 2,7А, 1,3Вт, SOT23 Характеристики
| Категория | Транзистор |
| Тип | полевой |
| Вид | MOSFET |
Технические параметры
| Base Product Number | IRLML2030 -> |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C | 2.7A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| ECCN | EAR99 |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 1nC @ 4.5V |
| HTSUS | 8541.29.0095 |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 110pF @ 15V |
| Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55В°C ~ 150В°C (TJ) |
| Package | Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ® |
| Package / Case | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Power Dissipation (Max) | 1.3W (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 100mOhm @ 2.7A, 10V |
| REACH Status | REACH Unaffected |
| RoHS Status | ROHS3 Compliant |
| Series | HEXFETВ® -> |
| Supplier Device Package | Micro3в„ў/SOT-23 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | В±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.3V @ 25ВµA |
| Continuous Drain Current (Id) @ 25В°C | 2.7A |
| Power Dissipation-Max (Ta=25В°C) | 1.3W |
| Rds On - Drain-Source Resistance | 100mО© @ 2.7A,10V |
| Transistor Polarity | N Channel |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 30V |
| Vgs - Gate-Source Voltage | 2.3V @ 25uA |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Maximum Continuous Drain Current | 2.7 A |
| Maximum Drain Source Resistance | 100 mΩ |
| Maximum Drain Source Voltage | 30 V |
| Maximum Gate Source Voltage | -20 V, +20 V |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 2.3V |
| Maximum Operating Temperature | +150 °C |
| Maximum Power Dissipation | 1.3 W |
| Minimum Gate Threshold Voltage | 1.3V |
| Minimum Operating Temperature | -55 °C |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Package Type | SOT-23 |
| Pin Count | 3 |
| Transistor Configuration | Single |
| Transistor Material | Si |
| Typical Gate Charge @ Vgs | 1 nC @ 4.5 V |
| Width | 1.4mm |
| MSL(Уровень чувствительности к влажности) | 1 |
| Диапазон рабочих температур | -55…+150 °С |
| Емкость, пФ | 110 |
| Заряд затвора, нКл | 1 |
| Максимально допустимое напряжение | затвор-исток(Vgs)±20 В |
| Максимальное напряжение сток-исток, В | 30 |
| Максимальный ток стока (при Ta=25C), А | 2.7 |
| Минимальное сопротивление открытого канала, мОм | 100 |
| Мощность | рассеиваемая(Pd)-1.3 Вт |
| Напряжение | пороговое затвора(Vgs th)-1.3 В |
| Описание | MOSFET MOSFT 30V 2.7A 100mOhm 1.0nC |
| Способ монтажа | поверхностный(SMT) |
| Тип | MOSFET |
| Тип проводимости | N |
| Транспортная упаковка: размер/кол-во | 58*46*50/15000 |
| Упаковка | REEL, 3000 шт. |
| Вес, г | 0.03 |
