2N2219A
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
1 800 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 1 800 руб.
Описание
Биполярные транзисторы - BJT Small-Signal BJT
Технические параметры
| Pd - рассеивание мощности | 800 mW |
| RoHS | N |
| Вид монтажа | Through Hole |
| Категория продукта | Биполярные транзисторы - BJT |
| Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) | 75 at 1 mA at 10 VDC |
| Конфигурация | Single |
| Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс. | 325 at 1 mA at 10 VDC |
| Максимальная рабочая температура | + 200 C |
| Максимальный постоянный ток коллектора | 800 mA |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Напряжение коллектор-база (VCBO) | 75 V |
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 50 V |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 300 mV |
| Напряжение эмиттер-база (VEBO) | 6 V |
| Подкатегория | Transistors |
| Полярность транзистора | NPN |
| Размер фабричной упаковки | 1 |
| Технология | Si |
| Тип продукта | BJTs - Bipolar Transistors |
| Торговая марка | Microsemi |
| Упаковка | Bulk |
| Упаковка / блок | TO-39-3 |
| Base Product Number | 2N2219 -> |
| Current - Collector (Ic) (Max) | 800mA |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 10nA |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 100 @ 150mA, 10V |
| ECCN | EAR99 |
| HTSUS | 8541.21.0095 |
| Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55В°C ~ 200В°C (TJ) |
| Package | Bulk |
| Package / Case | TO-205AD, TO-39-3 Metal Can |
| Power - Max | 800mW |
| REACH Status | REACH Unaffected |
| RoHS Status | RoHS non-compliant |
| Supplier Device Package | TO-39 (TO-205AD) |
| Transistor Type | NPN |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 1V @ 50mA, 500mA |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50V |
Техническая документация
Datasheet 2N2219A
pdf, 161 КБ
