G3R40MT12D, MOSFET 1200V 40mohm TO-247-3 G3R SiC MOSFET
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
1916 шт., срок 7-9 недель
4 950 руб.
от 10 шт. —
4 300 руб.
от 30 шт. —
3 880 руб.
от 120 шт. —
3 412.87 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 4 950 руб.
Альтернативные предложения1
Технические параметры
| Case | TO247-3 |
| Drain current | 50A |
| Drain-source voltage | 1.2kV |
| Gate charge | 106nC |
| Gate-source voltage | -5…15V |
| Kind of channel | enhanced |
| Kind of package | tube |
| Manufacturer | GeneSiC SEMICONDUCTOR |
| Mounting | THT |
| On-state resistance | 40mΩ |
| Polarisation | unipolar |
| Power dissipation | 333W |
| Pulsed drain current | 140A |
| Technology | G3R™, SiC |
| Type of transistor | N-MOSFET |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 937 КБ
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.
