C3M0065100K, MOSFET 1000V 65 mOhm G3 SiC MOSFET TO-247-4
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
2228 шт., срок 7-9 недель
5 760 руб.
от 10 шт. —
4 900 руб.
от 30 шт. —
4 330 руб.
от 60 шт. —
3 927.97 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 5 760 руб.
Описание
New C3M Silicon Carbide (SiC) MOSFET technology Minimum of 1000 V Drain-Source Breakdown Voltage across the entire operating temperature range
Технические параметры
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Forward Diode Voltage | 4.8V |
| Maximum Continuous Drain Current | 35 A |
| Maximum Drain Source Resistance | 90 mΩ |
| Maximum Drain Source Voltage | 1000 V |
| Maximum Gate Source Voltage | -8 V, +19 V |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 3.5V |
| Maximum Operating Temperature | +150 C |
| Maximum Power Dissipation | 113.5 W |
| Minimum Gate Threshold Voltage | 1.8V |
| Minimum Operating Temperature | -55 C |
| Mounting Type | Through Hole |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Package Type | TO-247-4 |
| Pin Count | 4 |
| Series | C3M |
| Transistor Material | SiC |
| Typical Gate Charge @ Vgs | 35 nC 15 V, 35 nC 4 V |
| Width | 5.21mm |
Техническая документация
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.
