C3M0075120D-A, MOSFET SiC, MOSFET, 75mO, 1200V, TO-247-3, 175C capable, Industrial
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
388 шт., срок 7-9 недель
5 380 руб.
от 10 шт. —
4 460 руб.
от 30 шт. —
3 790 руб.
от 60 шт. —
3 495.19 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 5 380 руб.
Альтернативные предложения1
Описание
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 32A 3-Pin(3+Tab) TO-247
Технические параметры
| Automotive | No |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Configuration | Single |
| ECCN (US) | EAR99 |
| Material | SiC |
| Maximum Continuous Drain Current (A) | 32 |
| Maximum Drain Source Resistance (mOhm) | 90@15V |
| Maximum Drain Source Voltage (V) | 1200 |
| Maximum Gate Source Voltage (V) | 15 |
| Maximum Operating Temperature (°C) | 175 |
| Maximum Power Dissipation (mW) | 113600 |
| Minimum Operating Temperature (°C) | -40 |
| Mounting | Through Hole |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Operating Junction Temperature (°C) | -40 to 175 |
| Part Status | Active |
| PCB changed | 3 |
| Pin Count | 3 |
| PPAP | No |
| Product Category | Power MOSFET |
| Supplier Package | TO-247 |
| Supplier Temperature Grade | Industrial |
| Tab | Tab |
| Typical Fall Time (ns) | 13 |
| Typical Gate Charge @ Vgs (nC) | 54@15V |
| Typical Input Capacitance @ Vds (pF) | 1390@1000V |
| Typical Rise Time (ns) | 17 |
| Typical Turn-Off Delay Time (ns) | 32 |
| Typical Turn-On Delay Time (ns) | 56 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 873 КБ
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.
