WMJ12N120D1, Transistor: N-MOSFET; WMOS™ D1; unipolar; 1.2kV; 12A; Idm: 48A; 278W

WMJ12N120D1, Transistor: N-MOSFET; WMOS™ D1; unipolar; 1.2kV; 12A; Idm: 48A; 278W
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
64 шт., срок 7 недель
1 270 руб.
от 3 шт.1 000 руб.
от 10 шт.663 руб.
от 30 шт.561.07 руб.
Добавить в корзину 1 шт. на сумму 1 270 руб.
Номенклатурный номер: 8025868093
Артикул: WMJ12N120D1
Бренд: Wayon

Описание

Semiconductors\Transistors\Unipolar transistors\N channel transistors

Технические параметры

Case TO247-3
Drain current 12A
Drain-source voltage 1.2kV
Gate charge 94nC
Gate-source voltage ±30V
Kind of channel enhanced
Kind of package tube
Manufacturer WAYON
Mounting THT
On-state resistance 1.25Ω
Polarisation unipolar
Power dissipation 278W
Pulsed drain current 48A
Technology WMOS™ D1
Type of transistor N-MOSFET
Вес, г 5

Сроки доставки

Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.