WMAA2N100D1, Transistor: N-MOSFET; WMOS™ D1; unipolar; 1kV; 2A; Idm: 8A; 60W
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
568 шт., срок 7 недель
220 руб.
от 10 шт. —
130 руб.
от 25 шт. —
100 руб.
от 75 шт. —
66.53 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 220 руб.
Описание
Semiconductors\Transistors\Unipolar transistors\N channel transistors
Технические параметры
| Case | TO251 |
| Drain current | 2A |
| Drain-source voltage | 1kV |
| Gate charge | 18nC |
| Gate-source voltage | ±30V |
| Kind of channel | enhanced |
| Kind of package | tube |
| Manufacturer | WAYON |
| Mounting | THT |
| On-state resistance | 6.3Ω |
| Polarisation | unipolar |
| Power dissipation | 60W |
| Pulsed drain current | 8A |
| Technology | WMOS™ D1 |
| Type of transistor | N-MOSFET |
| Вес, г | 2 |
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.
