Транзистор полевой IRLML0040TRPBF Sunlord
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
13 руб.
Мин. кол-во для заказа 1204 шт.
Добавить в корзину 1204 шт.
на сумму 15 652 руб.
Альтернативные предложения1
Описание
Описание Транзистор полевой IRLML0040TRPBF производства компании INFINEON отличается высокими характеристиками для различных электронных устройств. Модель выполнена в компактном SMD-исполнении, что позволяет легко монтировать ее на печатные платы. Транзистор имеет тип N-MOSFET, обеспечивающий высокую скорость коммутации. С током стока в 3,6 А и максимальным напряжением сток-исток в 40 В, этот компонент гарантирует надежную работу в широком диапазоне применений. Мощность транзистора составляет 1,3 Вт, что свидетельствует о его хорошей эффективности. Корпус SOT23 обеспечивает удобство монтажа и экономит место на плате. Используйте IRLML0040TRPBF для повышения производительности ваших электронных проектов. Характеристики
Категория | Транзистор |
Тип | полевой |
Вид | N-MOSFET |
Монтаж | SMD |
Ток стока, А | 3.6 |
Напряжение сток-исток, В | 40 |
Мощность, Вт | 1.3 |
Корпус | SOT23 |
Технические параметры
Крутизна характеристики S,А/В | 6.2 |
Максимальное пороговое напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | 2.5 |
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл.,мОм | 56 |
Температура, С | -55…+150 |
RoHS Compliant | Yes |
Channel Mode | Enhancement |
Channel Type | N |
Maximum Continuous Drain Current | 3.6 A |
Maximum Drain Source Resistance | 56 mΩ |
Maximum Drain Source Voltage | 40 V |
Maximum Gate Source Voltage | -16 V, +16 V |
Maximum Gate Threshold Voltage | 2.5V |
Maximum Operating Temperature | +150 °C |
Maximum Power Dissipation | 1.3 W |
Minimum Gate Threshold Voltage | 1V |
Minimum Operating Temperature | -55 °C |
Mounting Type | Surface Mount |
Number of Elements per Chip | 1 |
Package Type | SOT-23 |
Pin Count | 3 |
Series | HEXFET |
Transistor Configuration | Single |
Transistor Material | Si |
Typical Gate Charge @ Vgs | 2.6 nC @ 4.5 V |
Width | 1.4mm |
Brand: | Infineon Technologies |
Channel Mode: | Enhancement |
Configuration: | Single |
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 3000 |
Fall Time: | 4.3 ns |
Forward Transconductance - Min: | 6.2 s |
Id - Continuous Drain Current: | 3.6 A |
Manufacturer: | Infineon |
Maximum Operating Temperature: | +150 C |
Minimum Operating Temperature: | -55 C |
Mounting Style: | SMD/SMT |
Number of Channels: | 1 Channel |
Package / Case: | SOT-23-3 |
Part # Aliases: | IRLML0040TRPBF SP001572982 |
Pd - Power Dissipation: | 1.3 W |
Product Category: | MOSFET |
Product Type: | MOSFET |
Qg - Gate Charge: | 2.6 nC |
Rds On - Drain-Source Resistance: | 78 mOhms |
Rise Time: | 5.4 ns |
Series: | N-Channel |
Subcategory: | MOSFETs |
Technology: | Si |
Tradename: | HEXFET |
Transistor Polarity: | N-Channel |
Transistor Type: | 1 N-Channel |
Typical Turn-Off Delay Time: | 6.4 ns |
Typical Turn-On Delay Time: | 5.1 ns |
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 40 V |
Vgs - Gate-Source Voltage: | -16 V, +16 V |
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 1 V |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 192 КБ
Datasheet
pdf, 1680 КБ
Datasheet
pdf, 207 КБ
Datasheet IRLML0040TRPBF
pdf, 193 КБ
Datasheet IRLML0040PBF
pdf, 230 КБ