IXTQ200N10T
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
180 руб.
Мин. кол-во для заказа 7 шт.
Добавить в корзину 7 шт.
на сумму 1 260 руб.
Описание
Описание Транзистор N-MOSFET, 100В, 200А, 550Вт, TO3P, 76нс Характеристики
| Категория | Транзистор |
| Тип | полевой |
| Вид | MOSFET |
Технические параметры
| Case | TO3P |
| Drain current | 200A |
| Drain-source voltage | 100V |
| Features of semiconductor devices | thrench gate power mosfet |
| Gate charge | 152nC |
| Kind of channel | enhanced |
| Kind of package | tube |
| Manufacturer | IXYS |
| Mounting | THT |
| On-state resistance | 5.5mΩ |
| Polarisation | unipolar |
| Power dissipation | 550W |
| Reverse recovery time | 76ns |
| Type of transistor | N-MOSFET |
| Вес, г | 5.5 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 172 КБ
