XP233N0501TR-G, Транзистор: N-MOSFET
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
2390 шт., срок 7 недель
28 руб.
Мин. кол-во для заказа 10 шт.
Кратность заказа 5 шт.
от 30 шт. —
18 руб.
от 100 шт. —
13 руб.
от 500 шт. —
9.44 руб.
Добавить в корзину 10 шт.
на сумму 280 руб.
Альтернативные предложения1
Описание
Semiconductors\Transistors\Unipolar transistors\N channel transistors
Технические параметры
| Case | SOT23-3 |
| Drain current | 0.5A |
| Drain-source voltage | 30V |
| Features of semiconductor devices | ESD protected gate |
| Gate-source voltage | ±20V |
| Kind of channel | enhanced |
| Kind of package | reel, tape |
| Manufacturer | TOREX |
| Mounting | SMD |
| On-state resistance | 4Ω |
| Polarisation | unipolar |
| Power dissipation | 0.4W |
| Pulsed drain current | 1A |
| Type of transistor | N-MOSFET |
| Channel Type | N Channel |
| Drain Source On State Resistance | 0.6Ом |
| Количество Выводов | 3вывод(-ов) |
| Линейка Продукции | XP23 |
| Максимальная Рабочая Температура | 150°C |
| Монтаж транзистора | Surface Mount |
| Напряжение Измерения Rds(on) | 4.5В |
| Напряжение Истока-стока Vds | 30В |
| Непрерывный Ток Стока | 500мА |
| Полярность Транзистора | N Канал |
| Пороговое Напряжение Vgs | 1.3В |
| Рассеиваемая Мощность | 400мВт |
| Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on) | 0.6Ом |
| Стиль Корпуса Транзистора | TO-236 |
| Уровень Чувствительности к Влажности (MSL) | MSL 1-Безлимитный |
| Вес, г | 0.1 |
Техническая документация
Datasheet XP233N0501TR-G
pdf, 253 КБ
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.
