IRLML0060TRPBF
см. техническую документацию
Описание
Компания International Rectifier выпустила новую линейку HEXFET силовых полевых транзисторов в стандартных корпусах SOT-23 со сверхнизким сопротивлением канала в открытом состоянии для приложений, включающих устройств зарядки и коммутаторов аккумуляторных батарей, маломощного привода и телекоммуникационного оборудования.
Новые приборы SOT-23 отличаются улучшенными параметрами токовой нагрузки, что удалось достичь благодаря уменьшению сопротивления канала на 90%. Эти транзисторы также характеризуются очень малым зарядом затвора и малой паразитной миллеровской емкостью, благодаря чему имеют сверхбыстрое время переключения.
Новая линейка полевых транзисторов охватывает широкий диапазон рабочего напряжения от - 30 до 100 В с различными уровнями сопротивления и заряда затвора, что позволит разработчикам выбрать оптимальный прибор для решения конкретных задач без дополнительных материальных затрат.
Технические параметры
| Крутизна характеристики S,А/В | 7.6 |
| Максимальное пороговое напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | 2.5 |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл.,мОм | 116 |
| Температура, С | -55…+150 |
| Transistor Polarity | N Channel; Continuous Drain Current Id |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Maximum Continuous Drain Current | 2.7 A |
| Maximum Drain Source Resistance | 92 mΩ |
| Maximum Drain Source Voltage | 60 V |
| Maximum Gate Source Voltage | -16 V, +16 V |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 2.5V |
| Maximum Operating Temperature | +150 °C |
| Maximum Power Dissipation | 1.25 W |
| Minimum Gate Threshold Voltage | 1V |
| Minimum Operating Temperature | -55 °C |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Package Type | SOT-23 |
| Pin Count | 3 |
| Series | HEXFET |
| Transistor Configuration | Single |
| Transistor Material | Si |
| Typical Gate Charge @ Vgs | 2.5 nC @ 4.5 V |
| Width | 1.4mm |
