Однопереходный транзистор

Опубликовано 26.02.2010 Ведущий Антон Панкратов

Однопереходный транзистор, иначе называемый двухбазовым диодом, имеет только один n- р-переход
и по структуре напоминает полевой транзистор с управляющим n-р-переходом, но принцип его работы совсем иной. Область n (база), имеющая на концах выводы Б1 и Б2, не является каналом, изменяющим свое сопротивление за счет изменения площади поперечного сечения. Эмиттер типа р+ образует с базой р+ n - переход, на который в отличие от полевого транзистора подается не обратное, а прямое внешнее напряжение.
Выходной ток, протекающий через базу, создает внутри нее на участке от эмиттера до вывода Б1 падение напряжения Uвн, которое является обратным для эмиттерного перехода и запирает его.
Если внешнее прямое напряжение, равное Е1 + Uвх, больше Uвн, то результирующее напряжение на переходе становится прямым, переход отпирается и в нем начинается инжекция дырок из эмиттера в базу. За счет этого сопротивление базы уменьшается. При изменении входного напряжения изменяется уровень инжекции и сопротивление базы, а следовательно, и выходной ток, и на нагрузке получается усиленное выходное напряжение.
Однопереходный транзистор может применяться для усиления, генерации и переключения. Но по своим частотным свойствам он значительно уступает обычным биполярным транзисторам и является низкочастотным прибором.