Антимонид индия

Опубликовано 27.03.2010 Ведущая Ольга Константинова

Антимонид индия (InSb) - химическое соединение индия и сурьмы.
Антимонид индия имеет малую ширину запрещенной зоны - 0,18 электрон-Вольт и очень высокую подвижность электронов. Энергия ионизации донорных примесей (серы, селена, теллура) очень мала. Вследствие малой ширины запрещенной зоны электропроводность антимонида индия уже при температурах ниже комнатной становится собственной. Антимонид индия относится к вырожденным полупроводникам. Их особенность - слабая зависимость основных характеристик от температуры.
Промышленным методом выращивания монокристаллов антимонида индия является метод Чохральского - метод выращивания кристаллов путём вытягивания их вверх от свободной поверхности большого объёма расплава с инициацией начала кристаллизации путём приведения затравочного кристалла (или нескольких кристаллов) заданной структуры и кристаллографической ориентации в контакт со свободной поверхностью расплава. Монокристаллы InSb выращивают в направлении диаметром 2 и 3 дюйма. Антимонид индия применяется для изготовления туннельных диодов: по сравнению с германиевыми диоды из InSb обладают лучшими частотными свойствам при низких температурах. Антимонид индия используют для изготовления фотоэлементов высокой чувствительности - фотодиодов, фоторезисторов, датчиков Холла, оптических фильтров и термоэлектрических генераторов и холодильников.