25-вольтовые полевые транзисторы IR в корпусе DirectFet

Опубликовано 28.04.2010 Ведущий Евгений Глазков

International Rectifier представляет новые 25-вольтовые полевые транзисторы, выполненные по кремниевой HEXFET MOSFET технологии в корпусе DirectFet для высокочастотных высокоэффективных синхронных DC-DC преобразователей, point-of-load преобразователей серверов, персональных компьютеров, ноутбуков.
HEXFET технология является самой популярной в мире. Достаточно сказать, что до сих пор по лицензированной технологии HEXFET во всем мире производится около 75% мощных полевых транзисторов. Транзисторы, производимые по технологии HEXFET , имеют планарную структуру с гексагональной формой ячейки.
Новые транзисторы IRF6710S2, IRF6795M и IRF6797M характеризуются крайне низким сопротивлением канала, зарядом затвора, низким зарядом затвор-исток для увеличения производительности, улучшением тепловых характеристик. Приборы обеспечивают работу в цепях до 25 А.