Низковольтный MOSFET транзистор IRF2804S для автоэлектроники

Опубликовано 14.10.2010 Ведущий Виталий Дудкин

Низковольтный транзистор для автоэлектроники IRF2804S компании International Rectifier обладает рекордно низким максимальным сопротивлением открытого канала 2 мОм в корпусе для поверхностного монтажа D2Pak.
Разработанный IR оригинальный технологический процесс производства кристаллов транзисторов с вертикальным расположением затвора (Trench MOSFET) обеспечивает ультранизкое удельное сопротивление канала при его более низкой температурной зависимости наряду с высокой энергией лавинного пробоя, необходимой для обеспечения высокой надежности прибора в тяжелых условиях применения, характерных для автоэлектроники.
Помимо этого, транзистор IRF2804S имеет более низкие потери на переключение и управление, что гарантирует более высокую эффективность ключевых устройств при их применении. Высокая энергия лавинного пробоя дает возможность применять более низковольтные приборы (например, 40-вольтовые вместо 55-вольтовых), извлекая дополнительные преимущества из более низкого сопротивления канала и рабочей температуры кристалла.
Все новые приборы отвечают требованиям норм стандарта Q101 для компонентов автоэлектроники и нормированы на уровень энергии однократного и повторяющегося лавинного пробоя при максимальной температуре кристалла 175°С.
По мнению специалистов компании - транзистор IRF2804S обеспечит эталонные характеристики интегрированных стартер/генераторов, генераторов с активным синхронным выпрямлением, электроусилителей руля, систем АБС и приводов на базе щеточных и бесконтактных двигателей постоянного тока.