Силовые MOSFET транзисторы -30…100 В в корпусе SOT-23

Опубликовано 19.10.2010 Ведущий Виталий Дудкин

В течение последнего десятилетия внедрение компанией International Rectifier TrenchFET-технологии изготовления полевых транзисторов привело к появлению MOSFET, сочетающих в себе как ультранизкое сопротивление открытого канала, так и улучшенные динамические характеристики. В процессе эволюции технологии изготовления MOSFET происходит постоянное повышение удельной мощности транзисторов, снижение удельного сопротивления канала, а также уменьшение комплексного показателя потерь, учитывающего одновременно потери на проводимость и переключение. Однако устойчивая работа транзисторов зависит и от ряда других важных параметров в зависимости от конкретного их применения в разных устройствах. Линейка MOSFET International Rectifier отличается тем, что можно выбрать транзисторы, предназначенные для работы только в определенных устройствах.
Недавно компания International Rectifier выпустила новую линейку HEXFET силовых полевых транзисторов в стандартных корпусах SOT-23 со сверхнизким сопротивлением канала в открытом состоянии для приложений, включающих устройств зарядки и коммутаторов аккумуляторных батарей, маломощного привода и телекоммуникационного оборудования.
Новые приборы SOT-23 отличаются улучшенными параметрами токовой нагрузки, что удалось достичь благодаря уменьшению сопротивления канала на 90%. Эти транзисторы также характеризуются очень малым зарядом затвора и малой паразитной миллеровской емкостью, благодаря чему имеют сверхбыстрое время переключения.
Новая линейка полевых транзисторов охватывает широкий диапазон рабочего напряжения от - 30 до 100 В с различными уровнями сопротивления и заряда затвора, что позволит разработчикам выбрать оптимальный прибор для решения конкретных задач без дополнительных материальных затрат.