Силовые MOSFET транзисторы -30…100 В в корпусе SOT-23
Опубликовано 19.10.2010
Ведущий Виталий Дудкин
В течение последнего десятилетия внедрение компанией International Rectifier TrenchFET-технологии изготовления полевых транзисторов привело к появлению MOSFET, сочетающих в себе как ультранизкое сопротивление открытого канала, так и улучшенные динамические характеристики ...
Товары, упомянутые в ролике
![IRLML0030TRPBF, Транзистор, N-канал 30В 5.3А, [SOT-23]](https://static.chipdip.ru/lib/255/DOC005255374.jpg)
Группы, упомянутые в ролике
