Транзисторы IR 150-200 В с предельно низким зарядом затвора

Опубликовано 19.02.2011 Ведущий Виталий Дудкин

Cерия HEXFET полевых транзисторов на напряжения 150 и 200 В производства компании International Rectifier обладает ультра низким зарядом затвора (Qg) и подходит для таких промышленных применений, как импульсные источники питания, источники бесперебойного питания, инверторы и DC привода.
Транзисторы IR с номинальным напряжением 150 В по сравнению со своими конкурирующими аналогами на рынке имеют на 59% сниженный суммарный заряд затвора, для транзисторов IR 200 В это значение составляет 33%.
Необходимость в разработке специальной линейки транзисторов с низким Qg вызвана непрерывным усовершенствованием технологий построения DC-DC конвертеров. Увеличение частот, на которых работают преобразователи, вывело на первый план такие параметры транзисторов, как входная емкость и заряд затвора. Именно они стали напрямую влиять на общую эффективность работы транзистора. MOSFET транзисторы IR на 150/200 В оптимизированы, в первую очередь, для быстродействующих схем, где критичными являются потери на переключение. Таким образом, транзисторы могут применяться в качестве ключей первичных схем в изолированных DC-DC преобразователях телекоммуникационного оборудования или для управления малой нагрузкой в современных DC-DC конвертерах.