Тразисторы STripFET фирмы STMicroelectronics

Опубликовано 26.02.2011 Ведущий Евгений Глазков

Крупнейший европейский производитель полупроводниковой техники STMicroelectronics является и одним из ведущих мировых поставщиков силовых транзисторов MOSFET. В данный момент ST активно развивает силовое направление, используя новые технологии при разработке топологий кристаллов, что ведет к улучшению характеристик. Семейства низковольтных транзисторов от ST имеют общее название STripFET и отличаются индексом, который соответствует порядковому номеру поколения технологии. Технология STripFET III была представлена в 2005 году, дальнейшее развитие технологии привело к появлению транзисторов STripFET V и STripFET VI DeepGATE. Как правило, полевые транзисторы характеризуются тремя основными параметрами:
сопротивление между стоком и истоком транзистора в открытом состоянии, максимальное напряжение между стоком и истоком
и полный заряд затвора, требуемый для переключения транзистора
Транзисторы STripFET V по сравнению с предыдущим поколением имеют следующие усовершенствования:
• Снижено сопротивление слоя металла благодаря увеличению его толщины,
• Улучшена структура затвора,
• Использован вертикальный контакт m-trench
Эти улучшения привели к уменьшению полного заряда затвора и снижению сопротивления канала на 10-15%. Отличительной особенностью последнего на данный момент поколения низковольтных транзисторов ST является использование глубинного затвора. Данная технология, названная «DeepGATE», позволяет решить проблему паразитных транзисторов, повысить устойчивость кристалла к лавинному пробою и повысить плотность структуры кристалла. Транзисторы STMicroelectronics семейства STripFET сочетают в себе высокую проводимость открытого канала, низкую емкость заряда затвора и широкую номенклатуру используемых корпусов. Это отвечает современным требованиям к транзисторам, используемым при разработке высокоэффективных DC/DC-преобразователей, элементов контроля электроприводов и систем управления питанием.