Корпус PowerFLAT

Опубликовано 26.03.2011 Ведущий Евгений Глазков

Развитие технологии в производстве полупроводниковой техники, в частности, разработка новых топологий кристалла полевых транзисторов привело к появлению мощных высокоэффективных MOSFET-транзисторов. Но использование старых, проверенных временем, корпусов не позволяет полностью раскрыть преимущества новых кристаллов. Поэтому, например, в компании STMicroelectronics появление таких новых технологий, как STripFET, MDmesh, DeepGATE сопровождается разработкой новых корпусов транзисторов. Одним из таких является корпус PowerFLAT 8×8 HV. Новый корпус, предназначенный для поверхностного монтажа, выполнен в безвыводном исполнении, имеет высоту 1 мм и посадочное место 8 х 8 мм, содержит в себе кристалл стандартных промышленных размеров TO-220. Контактом стока в корпусе PowerFlat является большая открытая металлическая поверхность, которая способствует улучшению теплоотвода и, соответственно, повышению надежности. Компания STMicroelectronics уже выпустила транзистор STL21N65M5, первый в новой линейке MOSFET-транзисторов в корпусах PowerFLAT. Небольшие размеры позволят разработчикам добиваться утончения проектируемых узлов питания, создавая более компактные и надежные электронные изделия, которые будут пользоваться спросом на современном рынке.