4х канальные цифровые изоляторы серии ADuM744x

Опубликовано 15.04.2011 Ведущий Виталий Дудкин

Analog Devices – лидер в разработке и производстве высокопроизводительных микросхем для аналоговой и цифровой обработки сигналов – представляет семейство самых компактных в мире четырехканальных микросхем гальванической развязки цифровых сигналов. Микросхемы серии ADuM744x поставляются в корпусах QSOP размером 5 мм х 6 мм. Новые компоненты предназначены для применения в оборудовании, где достаточна прочность изоляции 1 КВ RMS(например SPI-интерфейс, RS-232/RS-422/RS-485 трансиверы и др.), и важны цена и массогабаритные показатели. Цифровые изоляторы ADuM744x расширяют семейство iCoupler®, в которое также входят микросхемы с прочностью изоляции 2,5 и 5 КВ. Таким образом, разработчики получают широчайший выбор компонентов для гальванической развязки цифровых сигналов.
В линейку ADuM744x входят микросхемы ADuM7440, ADuM7441 и ADuM7442. Каждая микросхема поставляется в различных вариантах исполнения в зависимости от скорости передачи данных – от 1 до 25 Мбит/с. Диапазон питающего напряжения составляет от 3 до 5,5 В. Микросхемы ADuM744x имеют крайне низкое энергопотребление и обеспечивают малый уровень искажений ширины импульса. Специальный входной фильтр обеспечивает защиту от внешних импульсных помех
На данный момент во всем мире работают более 300 миллионов каналов гальванической изоляции, использующих технологию iCoupler® фирмы Analog Devices, основанную на применении планарных трансформаторов. Трансформаторы, в отличие от оптопар, обеспечивают бОльшие скорости передачи данных и менее подвержены деградации в течение срока службы микросхемы. Благодаря размещению трансформаторов непосредственно на кристалле, несколько каналов гальванической развязки могут быть интегрированы в одном корпусе вместе с другими функциями обработки сигнала при сохранении низкой стоимости изделия. В микросхемах iCoupler® с прочностью изоляции 2,5 КВ RMS в качестве диэлектрика используется слой полиамида толщиной 20 мкм. В новых микросхемах с прочностью изоляции, пониженной до 1 КВ RMS, используется более тонкий слой оксида кремния (SiO2), который дешевле, чем полиамид.