Беспереходный транзистор

Опубликовано 01.07.2011 Ведущая Ольга Резникова

В 1925 году австро-венгерский физик Юлиус Эдгар Лилиенфилд получил патент на полупроводниковый усилитель, который в последующем был назван полевым транзистором. По принципу действия его прибор представлял собой резистор, покрытый тонкой полупроводниковой пленкой, при подаче напряжения на которую он менял свою проводимость и в связи с этим возникало усиление электрических колебаний. Но создать такой транзистор он не сумел, так как не нашлось необходимого материала, на основе которого можно было бы изготовить работающий транзистор. Физически изготовить подобный транзистор, в котором нет никаких переходов, удалось Жану - Пьеру Коленжу и его коллегам. Их транзистор представляет собой кремниевый нанопровод n-типа (проводящий канал), окруженный крайне тонким слоем оксида кремния, поверх которого лежит своего рода "скоба" из полупроводника p-типа, которая является затвором. Одно только лишь присутствие затвора резко сокращает количество свободных электронов в области канала под ним. Если между истоком и стоком имеется напряжение, то электроны всё равно не побегут по каналу, так как не позволит затвор. Такие транзисторы позволяют, как уменьшить размеры логических вентилей, так и улучшить их характеристики – например, существенно уменьшить ток утечки, который благоприятно влияет на энергопотребление схемы. По утверждению изобретателей такое беспереходное устройство близко к идеальным электрическим свойствам и ведёт себя как самый совершенный транзистор.